MS10N100HGC0

Symbol Micros: TMS10N100HGC0
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
MOSFET 10A,1000V,TO-247
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,95Ohm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 186,5W
Obudowa: TO247
Producent: Maspower
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: MASPOWER Symbol producenta: MS10N100HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
120 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
cena netto (PLN) 6,7200 4,9700 4,2400 4,0100 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/120
Rezystancja otwartego kanału: 1,95Ohm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 186,5W
Obudowa: TO247
Producent: Maspower
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT