MS30N100HGC0

Symbol Micros: TMS30N100HGC0

528757

TMS30N100HGC0

Symbol Kontrahenta:

Obudowa: TO247

karta katalogowa

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

MOSFET 30A,1000V,TO-247

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	380mOhm
Maksymalny prąd drenu:	30A
Maksymalna tracona moc:	290W
Obudowa:	TO247
Producent:	Maspower
Maksymalne napięcie dren-źródło:	1000V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Wszystkie parametry

         

 

Dodaj zapytanie

Pozycja dostępna na zamówienie

• Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	380mOhm
Maksymalny prąd drenu:	30A
Maksymalna tracona moc:	290W
Obudowa:	TO247
Producent:	Maspower
Maksymalne napięcie dren-źródło:	1000V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	30V
Temperatura pracy (zakres):	-40°C ~ 150°C
Montaż:	THT

Edytuj Symbol

Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta

Symbol Micros

Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Usuń Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Dodaj symbol

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Podana nazwa jest zajeta

Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.