MS3N100HGD0
Symbol Micros:
TMS3N100HGD0
Obudowa: TO252
MOSFET 3A,1000V,TO-252
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5,8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 50W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | Maspower |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-07-11
Ilość szt.: 500
Rezystancja otwartego kanału: | 5,8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 50W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | Maspower |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |