MUN2211T1G ONSemiconductors

Symbol Micros: TMUN2211
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC59
Tranzystor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MUN2211T3G;
Parametry
Moc strat: 230mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC59
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN2211T1G RoHS 8A... Obudowa dokładna: SC59 karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 422+ 1688+
cena netto (PLN) 0,5780 0,2640 0,1420 0,1080 0,0964
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
568
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN2211T1G RoHS 8A... Obudowa dokładna: SC59 karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 422+ 1688+
cena netto (PLN) 0,5780 0,2640 0,1420 0,1080 0,0964
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
422
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN2211T3G Obudowa dokładna: SC59  
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt.
ilość szt. 40000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0964
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN2211T1G Obudowa dokładna: SC59  
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
ilość szt. 33000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0964
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN2211T1G Obudowa dokładna: SC59  
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0964
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 230mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC59
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN