MUN5211T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMUN5211t1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-3
Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS;
Parametry
Moc strat: 310mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5211T1G RoHS Obudowa dokładna: SC70-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5040 0,2310 0,1260 0,0941 0,0840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5211T1G Obudowa dokładna: SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5211T1G Obudowa dokładna: SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5211T1G Obudowa dokładna: SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
564000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 310mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN