MUN5211T1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMUN5211t1g
Obudowa: SC70-3
Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS;
Parametry
| Moc strat: | 310mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MUN5211T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3400 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5380 | 0,2470 | 0,1340 | 0,1000 | 0,0896 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MUN5211T1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnętrzny:
186000 szt.
| ilość szt. | 30000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0896 |
| Moc strat: | 310mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |