MUN5211T1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMUN5211t1g
Obudowa: SC70-3
Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS;
Parametry
Moc strat: | 310mW |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SC70-3 |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5211T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5040 | 0,2310 | 0,1260 | 0,0941 | 0,0840 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5211T1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0840 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5211T1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0840 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MUN5211T1G
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
564000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0840 |
Moc strat: | 310mW |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SC70-3 |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |