MUN5232DW1T1G

Symbol Micros: TMUN5232dw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88 t/r
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Parametry
Moc strat: 250mW
Obudowa: SC-88 t/r
Producent: ONSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MUN5232DW1T1G RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 0,8750 0,4720 0,3550 0,2740 0,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 250mW
Obudowa: SC-88 t/r
Producent: ONSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN