MUN5233DW1T1G

Symbol Micros: TMUN5233dw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88 t/r
Tranzystor 2xNPN; 200; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 385mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88 t/r
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MUN5233DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 t/r  
Magazyn zewnętrzny:
306000 szt.
ilość szt. 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1239
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MUN5233DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 t/r  
Magazyn zewnętrzny:
336000 szt.
ilość szt. 18000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0882
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 385mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88 t/r
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN