MUN5233T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMUN5233t1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 200; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 310mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MUN5233T1G SC70-3 RoHS Obudowa dokładna: SC70-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 310mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta