MUN5311DW1T1G

Symbol Micros: TMUN5311dw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88 t/r
Tranzystor NPN/PNP; 60; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MUN5311DW1T2G;
Parametry
Moc strat: 385mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88 t/r
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 385mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88 t/r
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP