NCE3080K NCE POWER

Symbol Micros: TNCE3080k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 83A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: NCE POWER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: NCE Power Semiconductor Symbol producenta: NCE3080K RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6100 0,8880 0,6980 0,6470 0,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 83A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: NCE POWER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD