NDC7001C SOT6
Symbol Micros:
TNDC7001c
Obudowa: SOT6
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 510mA/340mA; 960mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 510mA |
| Maksymalna tracona moc: | 960mW |
| Obudowa: | SOT6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 510mA |
| Maksymalna tracona moc: | 960mW |
| Obudowa: | SOT6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |