NDS331N Fairchild

Name: TNDS331n TNDS331n
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNDS331n
Price: 0.402050 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TNDS331n

Obudowa: SSOT3

Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	210mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,3A
Maksymalna tracona moc:	500mW
Obudowa:	SSOT3
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Fairchild Symbol producenta: NDS331N RoHS Obudowa dokładna: SSOT3

Stan magazynowy:

1 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	200+	1000+
cena netto (PLN)	1,1600	0,6320	0,4140	0,3740	0,3300

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NDS331N Obudowa dokładna: SSOT3

Magazyn zewnetrzny:

351000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,4021

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NDS331N Obudowa dokładna: SSOT3

Magazyn zewnetrzny:

300000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,3300

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NDS331N Obudowa dokładna: SSOT3

Magazyn zewnetrzny:

21000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,3300

Rezystancja otwartego kanału:	210mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,3A
Maksymalna tracona moc:	500mW
Obudowa:	SSOT3
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	8V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5700	0,2610	0,1420	0,1060	0,0950