NDS332P

Symbol Micros: TNDS332p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 740mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: NDS332P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9770 0,5340 0,3500 0,3030 0,2790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 740mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD