NDS332P

Symbol Micros: TNDS332p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 740mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: NDS332P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8790 0,4810 0,3150 0,2720 0,2510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NDS332P Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5188
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NDS332P Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4992
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 740mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD