NDT014L
Symbol Micros:
TNDT014L
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 360mOhm; 2,8A; 3W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: NDT014L RoHS
Obudowa dokładna: SOT223
karta katalogowa
Stan magazynowy:
293 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 313+ | 1565+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4200 | 0,9360 | 0,6730 | 0,5750 | 0,5480 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NDT014L
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9401 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |