NDT2955 smd
Symbol Micros:
TNDT2955
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 513mOhm; 2,5A; 3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 513mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NDT2955 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
3350 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 | 2,1900 | 1,7200 | 1,5700 | 1,5000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 513mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |