NDT3055
Symbol Micros:
TNDT3055
Obudowa: SOT223
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NDT3055
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
32000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4612 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NDT3055
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
40000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2196 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |