NDT3055L smd
Symbol Micros:
TNDT3055l
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 180mOhm; 4A; 3W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 180mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NDT3055L RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
166 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8800 | 1,8200 | 1,4400 | 1,3100 | 1,2500 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NDT3055L
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
636000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2500 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NDT3055L
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5240 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 180mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |