NDT456P SOT223

Symbol Micros: TNDT456p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 7,5A; 3W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 54mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,5A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NDT456P Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9922
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 54mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,5A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD