NJT4030PT
Symbol Micros:
TNJT4030p
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 5A; 3W; -65°C~150°C; Odpowiednik: NJT4030PT3G; NJT4030PT1G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NJT4030PT1G
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6016 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NJT4030PT3G
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5968 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |