NST65010MW6T1G
Symbol Micros:
TNST65010mw6
Obudowa: SOT363
Tranzystor PNP; 475; 380mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 380mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-07-09
Ilość szt.: 3000
| Moc strat: | 380mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |