NTA4153NT1G

Symbol Micros: TNTA4153n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 6V; 950mOhm; 915mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTA4153NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 950mOhm
Maksymalna tracona moc: 300mW
Maksymalny prąd drenu: 915mA
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTA4153NT1G RoHS Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416) karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,4680 0,2630 0,2000 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 950mOhm
Maksymalna tracona moc: 300mW
Maksymalny prąd drenu: 915mA
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD