NTD24N06L
Symbol Micros:
TNTD24N06L
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,36W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 | 2,1700 | 1,8000 | 1,6000 | 1,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
85000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8593 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
110000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,36W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |