NTD24N06L
Symbol Micros:
TNTD24N06L
Obudowa: TO252 (DPAK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,36W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6567 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,36W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |