NTD24N06L
Symbol Micros:
TNTD24N06L
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 24A |
Maksymalna tracona moc: | 1,36W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,4500 | 2,1700 | 1,8000 | 1,6000 | 1,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
85000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9571 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
117500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7434 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD24N06LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7849 |
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 24A |
Maksymalna tracona moc: | 1,36W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |