NTD24N06L

Symbol Micros: TNTD24N06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06LT4G NTD24N06LT4
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 1,36W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 1,36W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD