NTD25P03LG smd
Symbol Micros:
TNTD25P03
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 15V; 90mOhm; 25A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTD25P03LT4G; DMP3028LK3; NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 25A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD25P03LT4G RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5146 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,3700 | 2,8600 | 2,6200 | 2,5300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTD25P03LT4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 25A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
NTD25P03LG HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 58mOhm; 20A; 29W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTD25P03LT4G;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
NTD25P03LG RoHS 20P03.
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,6300 | 1,0700 | 0,7660 | 0,6700 | 0,6280 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)