NTE4153NT1G
Symbol Micros:
TNTE4153n
Obudowa: SC89-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 230mOhm; 915mA; 300mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 915mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC89-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTE4153NT1G
Obudowa dokładna: SC89-3
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1130 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTE4153NT1G
Obudowa dokładna: SC89-3
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1089 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 915mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC89-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |