NTF3055L108T1G
Symbol Micros:
TNTF3055L108
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 120mOhm; 3A; 2,1W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTF3055L108T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
91000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2036 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTF3055L108T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9775 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTF3055L108T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
222500 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0093 |
Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |