NTF3055L108T1G
Symbol Micros:
TNTF3055L108
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 120mOhm; 3A; 2,1W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTF3055L108T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
188000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8610 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTF3055L108T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8312 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTF3055L108T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8148 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |