NTF3055L108T1G

Symbol Micros: TNTF3055L108
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 120mOhm; 3A; 2,1W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTF3055L108T1G Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
91000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2036
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTF3055L108T1G Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9775
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTF3055L108T1G Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
222500 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0093
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD