NTGS3443T1G
Symbol Micros:
TNTGS3443
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3,1A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTGS3443T1G RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7000 | 0,9370 | 0,7370 | 0,6820 | 0,6540 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTGS3443T1G
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6540 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTGS3443T1G
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6540 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTGS3443T1G
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6540 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |