NTJD1155L
Symbol Micros:
TNTJD1155l
Obudowa: SC-88
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTJD1155LT1G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SC-88 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD1155LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4100 | 0,7750 | 0,6090 | 0,5640 | 0,5410 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD1155LT1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5410 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTJD1155LT1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
438000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5410 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SC-88 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |