NTJD1155L
Symbol Micros:
TNTJD1155l
Obudowa: SC-88
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTJD1155LT1G; NTJD1155LT2G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SC-88 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SC-88 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |