NTLJF4156NT1G
Symbol Micros:
TNTLJF4156n
Obudowa: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 70mOhm; 2,5A; 710mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 710mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Obudowa: | WDFN6(2x2) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 710mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Obudowa: | WDFN6(2x2) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |