NTMD6N02R2G
Symbol Micros:
TNTMD6n02
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 16V; 35mOhm; 3,92A; 730mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,92A |
| Maksymalna tracona moc: | 730mW |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,92A |
| Maksymalna tracona moc: | 730mW |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 4,5V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |