NTMD6P02R2G

Symbol Micros: TNTMD6p02
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,2A
Maksymalna tracona moc: 1,28W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTMD6P02R2G RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6800 2,3300 1,8400 1,6800 1,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,2A
Maksymalna tracona moc: 1,28W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD