NTR4003NT1G

Symbol Micros: TNTR4003n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4003NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 690mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTR4003NT1G RoHS TR8 Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9300 0,4420 0,2480 0,1890 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTR4003NT1G RoHS TR8 Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8310 0,3320 0,1930 0,1610 0,1510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 690mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta