NTR4003NT1G

Symbol Micros: TNTR4003n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4003NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 690mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTR4003NT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3395 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7430 0,3530 0,1980 0,1510 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
207000 szt.
ilość szt. 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 690mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD