NTR4171PT1G

Symbol Micros: TNTR4171p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4171PT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 480mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4171PT1G Pbf TRF Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2800 0,8160 0,5720 0,4970 0,4650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 480mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD