NTR4501NT1G

Symbol Micros: TNTR4501n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4501NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTR4501NT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,4480 0,2810 0,2410 0,2290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3690000 szt.
ilość szt. 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,2290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD