NTR4502PT1G
Symbol Micros:
TNTR4502p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 350mOhm; 1,13A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4502PT3G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,13A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,13A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |