NTR4503NT1G

Symbol Micros: TNTR4503n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4503NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 730mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: NTR4503NT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5970 0,3950 0,3290 0,3090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 730mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD