NTR5198NLT1G
Symbol Micros:
TNTR5198nl
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 155mOhm; 2,2A; -55°C ~ 155°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 155mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR5198NLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2050 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: NTR5198NLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
537000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2015 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 155mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 155°C |
| Montaż: | SMD |