NTR5198NLT1G

Symbol Micros: TNTR5198nl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 155mOhm; 2,2A; -55°C ~ 155°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 155mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 1,5W
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 155mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 1,5W
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 155°C
Montaż: SMD