NTTYS009N08HLTWG onsemi

Symbol Micros: TNTTYS009N08HLTWG
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 58A
Maksymalna tracona moc: 73W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 58A
Maksymalna tracona moc: 73W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD