NTZD3154NT1G
Symbol Micros:
TNTZD3154n
Obudowa: SOT666
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 7V; 900mOhm; 540mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; NTZD3154NT5G
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 540mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT666 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 7V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 540mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT666 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 7V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |