NVGS5120PT1G

Symbol Micros: TNVGS5120p

133032

TNVGS5120p

Symbol Kontrahenta:

Obudowa: TSOP06

karta katalogowa

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 6-Pin TSOP

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	1,25Ohm
Maksymalny prąd drenu:	-0,115A
Maksymalna tracona moc:	225mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	-20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	12V

Wszystkie parametry

         

 

Dodaj zapytanie

Pozycja dostępna na zamówienie

• Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	1,25Ohm
Maksymalny prąd drenu:	-0,115A
Maksymalna tracona moc:	225mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	-20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	12V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Edytuj Symbol

Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta

Symbol Micros

Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Usuń Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Dodaj symbol

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Podana nazwa jest zajeta

Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.