NVMFS3D0P04M8LT1G onsemi
Symbol Micros:
TNVMFS3D0P04M8LT1G
Obudowa: DFN05(5x6)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,3mOhm; 183A; 171W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 183A |
| Maksymalna tracona moc: | 171W |
| Obudowa: | DFN05(5x6) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 183A |
| Maksymalna tracona moc: | 171W |
| Obudowa: | DFN05(5x6) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |