NX3008CBKS

Symbol Micros: TNX3008cbks
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor N/P-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm/7,8Ohm; 350mA/200mA; 445mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008CBKS.115; NX3008CBKS,115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 445mW
Obudowa: SOT363
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Producent: NXP Symbol producenta: NX3008CBKS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5660 0,3760 0,3140 0,2920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: NX3008CBKS,115 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnętrzny:
51000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,2920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 445mW
Obudowa: SOT363
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD