NX3008CBKS

Symbol Micros: TNX3008cbks
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor N/P-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm/7,8Ohm; 350mA/200mA; 445mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008CBKS.115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 445mW
Obudowa: SOT363
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: NX3008CBKS RoHS LD.. Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6950 0,4620 0,3850 0,3590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 7,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 445mW
Obudowa: SOT363
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD