NX3008NBKW NXP
Symbol Micros:
TNX3008nbkw
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 8V; 2,8Ohm; 350mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3008NBKW,115; NX3008NBKW.115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |