NX3020NAKVYL

Symbol Micros: TNX3020nakvyl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT666
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-666
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: -0,115A
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT666
Producent: Nexperia
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: -0,115A
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT666
Producent: Nexperia
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD