NX7002AK HXY MOSFET
Symbol Micros:
TNX7002ak HXY
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX7002AK,215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
NX7002AK NXP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
NX7002AK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
5445 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5720 | 0,2630 | 0,1430 | 0,1070 | 0,0954 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
NX7002AK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
606000 szt.
| Ilość szt. | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0954 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)