NX7002AKAR

Symbol Micros: TNX7002akar
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 15V; 4,1Ohm; 200mA; 445mW; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,1Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 445mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 4,5V
Producent: Nexperia Symbol producenta: NX7002AKAR Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0587
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: NX7002AKAR Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0612
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,1Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 445mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 4,5V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD