NX7002BKMBYL
Symbol Micros:
TNX7002bkmbyl
Obudowa: SOT883
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,8Ohm; 350mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT883 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT883 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |