NXH006P120MNF2PTG
Symbol Micros:
TNXH006P120MNF2PTG
Obudowa:
Power Driver Module MOSFET Half Bridge Inverter 1.2 kV 304 A Module
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 304A |
| Maksymalna tracona moc: | 950W |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 304A |
| Maksymalna tracona moc: | 950W |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |