NXH008T120M3F2PTHG
Symbol Micros:
TNXH008T120M3F2PTHG
Obudowa: PIM29(56.7x42.5)
MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 129A |
| Maksymalna tracona moc: | 371W |
| Obudowa: | PIM29(56.7x42.5) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 22V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 129A |
| Maksymalna tracona moc: | 371W |
| Obudowa: | PIM29(56.7x42.5) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 22V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |