NXH010P120MNF1PTG onsemi

Symbol Micros: TNXH010P120MNF1PTG
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
Dodaj do ulubionych
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 114A
Maksymalna tracona moc: 413W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1200V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NXH010P120MNF1PTG Obudowa dokładna:    
Magazyn zewnetrzny:
9 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 466,6163
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NXH010P120MNF1PTG Obudowa dokładna:    
Magazyn zewnetrzny:
356 szt.
ilość szt. 28+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 521,2380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
28
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 114A
Maksymalna tracona moc: 413W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1200V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta