PBSS4120T

Symbol Micros: TPBSS4120T
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 470; 480mW; 20V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PBSS4120T,215;
Parametry
Moc strat: 480mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 470
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: NXP Symbol producenta: PBSS4120T,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 250+ 750+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5220 0,3720 0,2610 0,2330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
750
Producent: NXP Symbol producenta: PBSS4120T,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
740 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 250+ 750+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5220 0,3720 0,2610 0,2330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 480mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 470
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta